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APTM20DHM20TG 零件图片(仅供参考)

APTM20DHM20TG
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APTM20DHM20TG 规格参数

  • 制造商产品型号:APTM20DHM20TG
  • 制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 N 沟道(双)非对称型
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):89A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):24 毫欧 @ 44.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):112nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):6850pF @ 25V
  • 功率-最大值:357W
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:SP4
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APTM20DHM20TG 基本参数:

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