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1N821A, SEL. 1% VBR 零件图片（仅供参考）

1N821A, SEL. 1% VBR
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1N821A, SEL. 1% VBR 规格参数

  • 制造商产品型号：1N821A, SEL. 1% VBR
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
  • 系列：二极管 - 齐纳 - 单
  • 零件状态：有源
  • 电压-齐纳（标称值）(Vz)：6.2V
  • 容差：±1%
  • 功率-最大值：500mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt)：10 Ohms
  • 不同Vr时电流-反向泄漏：2A @ 3V
  • 不同If时电压-正向(Vf)：-
  • 工作温度：-65°C ~ 175°C
  • 安装类型：通孔
  • 封装：DO-204AH，DO-35，轴向
  • 1N821A, SEL. 1% VBR，Micrel（Microchip）产品一站式供应商。
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1N821A, SEL. 1% VBR 基本参数：

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